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STGB30M65DF2，带引脚细节，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB包装盒，输入类型如数据表注释所示，用于标准中，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于D2Pak，以及258W最大功率，该设备也可以用作140ns反向恢复时间trr。此外，集流器Ic最大值为60A，该器件提供650V电压集流器-发射极击穿最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集流脉冲Icm为120A，最大Vge Ic上的Vce为2V@15V，30A，开关能量为300μJ（开），960μJ（关），栅极电荷为80nC，25°C下的Td为31.6ns/15ns，测试条件为400V、30A、10 Ohm、15V。
STGB30H60DFB是TRENCH GATE现场停止IGBT，HB，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2V@15V、30A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于400V、30A、10 Ohm、15V，提供Td开-关25°C特性，如37ns/146ns，开关能量设计为在383μJ（开）、293μJ（关）下工作，以及D2PAK供应商设备包，该设备也可以用作53ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为260W，该器件采用Digi-ReelR替代封装封装，该器件具有TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，安装类型为表面安装，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为149nC，集电器脉冲Icm为120A，集电器Ic最大值为60A。
带有电路图的STGB30H60DLFB，包括60A集流器Ic Max，设计用于120A集流脉冲Icm，数据表注释中显示了用于149nC的栅极电荷，该149nC提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入类型设计用于标准，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作to-263-3，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装箱。此外，该封装为Digi-ReelR替代封装，该器件提供260W最大功率，该器件具有供应商器件封装的D2PAK，开关能量为393μJ（关），25°C时的Td为-/146ns，测试条件为400V、30A、10 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为2V@15V、30A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
