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STGWT20V60F

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 22.67027 22.67027
10+ 20.37427 203.74278
100+ 16.69271 1669.27120
500+ 14.21028 7105.14000
  • 库存: 587
  • 单价: ¥22.67028
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥22.67
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规格参数

  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 安装类别 通孔
  • 部件状态 过时的
  • 包装/外壳 至3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备包装 TO-3P
  • 集电极击穿电压 600 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 门电荷 116 nC
  • 最大集电极电流 (Ic) 40 A
  • 最大功率 167 W
  • 最大整流电流 (Icm) 80 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.2V @ 15V, 20A
  • 开关能量 200J (on), 130J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 38ns/149ns
  • 试验条件 400V, 20A, 15V

STGWT20V60F 产品详情

IGBT Discretes,STMicroelectronics

特色

  • 最高结温:TJ=175°C
  • 超高速开关系列
  • 无尾关闭
  • 低饱和电压:V行政长官(sat)=1.8 V(典型值)@IC=20年
  • 紧密参数分布
  • 安全并联
  • 低热阻
  • 无铅包装
STGWT20V60F所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGWT20V60F 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGWT20V60F价格参考¥22.670277,你可以下载 STGWT20V60F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGWT20V60F规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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