该器件是使用先进的专有沟槽栅极和场停止结构开发的IGBT。该器件是“V”系列IGBT的一部分，代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，以最大化非常高频转换器的效率。此外，正V行政长官（sat）温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。
特色
- 最高结温：TJ=175°C
- 超高速开关系列
- 无尾关闭
- 低饱和电压：V行政长官（sat）=1.8 V（典型值）@IC=20年
- 紧密参数分布
- 安全并联
- 低热阻
- 超快软恢复反并联二极管
- 无铅包装
STGWT20V60DF
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 22.67027 | 22.67027 |
| 10+ | 20.37427 | 203.74278 |
| 100+ | 16.69271 | 1669.27120 |
- 库存: 236
- 单价: ¥22.67028
-
数量:
- +
- 总计: ¥22.67
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规格参数
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 至3P-3，SC-65-3
- 供应商设备包装 TO-3P
- 集电极击穿电压 600 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- IGBT型 场终止沟道
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 门电荷 116 nC
- 最大集电极电流 (Ic) 40 A
- 最大功率 167 W
- 最大整流电流 (Icm) 80 A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.2V @ 15V, 20A
- 反向恢复时长 (trr) 40纳秒
- 开关能量 200J (on), 130J (off)
- 开通/关断延时 (25°C) 38ns/149ns
- 试验条件 400V, 20A, 15V
STGWT20V60DF 产品详情
STGWT20V60DF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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STGWT20V60DF所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGWT20V60DF 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGWT20V60DF价格参考￥22.670277，你可以下载 STGWT20V60DF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGWT20V60DF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
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