STGP10NB60SD

Name: STGP10NB60SD
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7173156-STGP10NB60SD
Price: 10.610269 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 29 A 最大功率: 80 W 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

部件状态可供货
IGBT型 -
输入类别标准
安装类别通孔
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
集电极击穿电压 600 V
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳至220-3
最大整流电流 (Icm) 80 A
供应商设备包装 TO-220
反向恢复时长 (trr) 37 ns
门电荷 33 nC
最大集电极电流 (Ic) 29 A
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.75V@15V，10A
最大功率 80 W
开关能量 600J (on), 5mJ (off)
开通/关断延时 (25°C) 700ns/1.2s
试验条件 480V, 10A, 1kOhm, 15V

STGP10NB60SD 产品详情

该IGBT采用先进的PowerMESH？该工艺在低频工作条件下（高达1kHz）具有极低的通态压降。

特色

低压降（V_{行政长官（sat）})
高电流能力

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STGP10NB60SD所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGP10NB60SD 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGP10NB60SD价格参考￥10.610269，你可以下载 STGP10NB60SD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGP10NB60SD规格参数、现货库存、封装信息等信息！