该器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。该器件是V系列IGBT的一部分，代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，以最大化极高频率转换器的效率。此外，正V行政长官（sat）温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。
特色
- 最高结温：TJ=175°C
- 无尾关闭
- 五、行政长官（sat）=1.85 V（典型值）@IC=30年
- 紧密参数分布
- 安全并联
- 低热阻
- 超快软恢复反并联二极管
STGWT30V60F
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 260 W 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 25.63986 | 25.63986 |
| 10+ | 23.03966 | 230.39665 |
| 100+ | 18.87861 | 1887.86190 |
| 500+ | 16.07098 | 8035.49050 |
- 库存: 542
- 单价: ¥25.63987
-
数量:
- +
- 总计: ¥25.64
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规格参数
- 输入类别 标准
- 反向恢复时长 (trr) -
- 安装类别 通孔
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 至3P-3，SC-65-3
- 供应商设备包装 TO-3P
- 集电极击穿电压 600 V
- 最大集电极电流 (Ic) 60 A
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- IGBT型 场终止沟道
- 最大整流电流 (Icm) 120 A
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 最大功率 260 W
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 30A
- 试验条件 400V, 30A, 10欧姆, 15V
- 门电荷 163 nC
- 开关能量 383J (on), 233J (off)
- 开通/关断延时 (25°C) 45ns/189ns
STGWT30V60F 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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STGWT30V60F所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGWT30V60F 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGWT30V60F价格参考￥25.639866，你可以下载 STGWT30V60F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGWT30V60F规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
