9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGP7NB60KD，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGP7NB60KD参考价格为14.948078美元。STMicroelectronics STGP7NB60KD封装/规格：IGBT 600V 14A 80W TO220。您可以下载STGP7NB60KD英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如STGP7NB60KD价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STGP6NC60HD是IGBT 600V 15A 56W TO220，包括PowerMESH？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供通孔等安装类型功能，包装箱设计用于to-220-3以及标准输入类型，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-220AB，该设备为单配置，该设备的最大功率为56W，反向恢复时间trr为21ns，集电器Ic最大值为15A，集电器发射极击穿最大值为600V，集电器脉冲Icm为21A，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，3A，开关能量为20μJ（开），68μJ（关），栅极电荷为13.6nC，25°C时的Td为12ns/76ns，测试条件为390V、3A、10 Ohm、15V，Pd功耗为56W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.9 V，并且25℃下的连续集电极电流为15 A，并且栅极-发射极漏电流为100 nA，并且最大栅极-发射极电压为20 V，并且持续集电极电流Ic Max为15 A。
带有用户指南的STGP7H60DF，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.95V@15V、7A Vce（最大Vge Ic）下工作，测试条件如数据表注释所示，适用于400V、7A、47欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如30ns/160ns，开关能量设计为在99μJ（开）、100μJ（关）下工作，以及TO-220供应商设备包，该设备也可以用作136ns反向恢复时间trr。此外，功率最大值为88W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-220-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为46nC，集流器脉冲Icm为28A，集流器Ic最大值为14A。
STGP7NB60HD是IGBT 600V 14A 80W TO220，包括14A集流器Ic Max，它们设计用于56A集流脉冲Icm，数据表注释中显示了用于42nC的栅极电荷，该42nC提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及to-220-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，最大功率为80W，设备提供100ns反向恢复时间trr，设备具有PowerMESH？系列，供应商设备包为TO-220AB，开关能量为85μJ（关断），25°C时的Td为15ns/75ns，测试条件为480V、7A、10欧姆、15V，最大Vge Ic为2.8V@15V、7A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
