STGWT40H65FB
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 283 W 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 31.14447 | 31.14447 |
| 10+ | 27.95759 | 279.57594 |
| 100+ | 22.90567 | 2290.56710 |
- 库存: 482
- 单价: ¥31.14447
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数量:
- +
- 总计: ¥31.14
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规格参数
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 门电荷 210 nC
- 反向恢复时长 (trr) -
- 安装类别 通孔
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 至3P-3，SC-65-3
- 供应商设备包装 TO-3P
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- IGBT型 场终止沟道
- 最大集电极电流 (Ic) 80 A
- 最大整流电流 (Icm) 160 A
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 40A
- 最大功率 283 W
- 开通/关断延时 (25°C) 40ns/142ns
- 试验条件 400V, 40A, 5欧姆, 15V
- 开关能量 498mJ (on), 363mJ (off)
STGWT40H65FB 产品详情
STMicroelectronics 650V HB系列沟槽栅极场停止IGBT是使用先进的专有沟槽栅极和场停止结构开发的IGBT。这些器件代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，以最大化任何变频器的效率。凭借ST先进的沟槽栅极场停高速技术，这些IGBT具有最小的集电极电流关断尾以及低至1.6V（典型值）的极低饱和电压（Vce（sat）），从而在开关期间和接通时将能量损失降至最低。此外，略微正的VCE（sat）温度系数和非常紧密的参数分布可使并联操作更加安全。了解更多关于STMicroelectronics 600-650V IGBTsnewElectronics文章：IGBT可减少能量损失，提高效率
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STGWT40H65FB所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGWT40H65FB 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGWT40H65FB价格参考￥31.144470，你可以下载 STGWT40H65FB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGWT40H65FB规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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