9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGB18N40LZ-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGB18N40LZ-1参考价格$15.4248。STMicroelectronics STGB18N40LZ-1封装/规格：IGBT 420V 30A 150W I2PAK。您可以下载STGB18N40LZ-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGB15H60DF，带引脚细节，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.070548盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及标准输入类型，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为D2PAK，该设备为单配置，该设备的最大功率为115W，反向恢复时间trr为103ns，集电器Ic最大值为30A，集电器-发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为沟槽场阻，集电器脉冲Icm为60A，最大Vge Ic上的Vce为2V@15V，15A，开关能量为136μJ（开）、207μJ（关），栅极电荷为81nC，25°C时的Td为24.5ns/18ns，测试条件为400V、15A、10 Ohm、15V，Pd功耗为115 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极-发射极饱和电压为1.6V，25℃时的连续集电极电流为30A，栅极-发射极漏电流为250nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V。
带有用户指南的STGB15M65DF2，包括650V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2V@15V、15A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于400V、15A、12欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如24ns/93ns，开关能量设计为在90μJ（开）、450μJ（关）下工作，该设备还可以用作142ns反向恢复时间trr。此外，功率最大值为136W，该器件采用Digi-ReelR交替封装，该器件具有TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，安装类型为表面安装，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为45nC，集电器脉冲Icm为60A，集电器Ic最大值为30A。
STGB14NC60KT4是IGBT 600V 25A 80W D2PAK，包括25A集流器Ic Max，它们设计用于34.4nC栅极电荷，输入类型如数据表注释所示，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，包装盒设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB以及Digi-ReelR替代包装，该设备还可以用作80W最大功率。此外，该系列是PowerMESH？，该设备在D2PAK供应商设备包中提供，该设备的开关能量为82μJ（开）、155μJ（关），25°C时的Td为22.5ns/116ns，测试条件为390V、7A、10 Ohm、15V，Vce on Max Vge Ic为2.5V@15V、7A，电压收集器-发射极击穿最大值为600V。
