STGD18N40LZ-1

Name: STGD18N40LZ-1
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7173367-STGD18N40LZ-1
Price: 23.973999 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:集电极击穿电压: 420伏最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 125瓦供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 1

库存: 9000
单价: ¥23.97400
数量:
- +
总计: ¥23.97

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

IGBT型 -
反向恢复时长 (trr) -
安装类别通孔
部件状态过时的
开关能量 -
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
输入类别逻辑
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
最大整流电流 (Icm) 40 A
包装/外壳 TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
供应商设备包装 I-PAK
最大功率 125瓦
最大集电极电流 (Ic) 25 A
门电荷 29 nC
集电极击穿电压 420伏
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.7伏@4.5伏，10A
开通/关断延时 (25°C) 650ns/13.5s
试验条件 300V, 10A, 5V

STGD18N40LZ-1 产品详情

这种专用IGBT采用了最先进的PowerMESH技术。栅极集电极和栅极发射极之间的内置齐纳二极管提供过电压保护功能。该装置还具有用于汽车点火系统的低导通状态电压降和低阈值驱动。

特色

符合AECQ101
180mJofavalancheenergy@TC=150°C，L=3mH
ESD门发射器保护
闸门收集器高压照明
逻辑级门驱动器
低饱和电压
高脉冲电流能力
栅极和栅极发射电阻器

STGD18N40LZ-1 相关器件

型号	制造商	描述	价格
STGB19N40LZ	意法半导体 (STMicroelectronics)	IGBT	¥8.60638
STGB10NB60ST4	意法半导体 (STMicroelectronics)	集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 29 A 最大功率: 80 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥81.55665
STG3684AUTR	意法半导体 (STMicroelectronics)	电线数量: two 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 500毫欧姆供应商设备包装: 10-QFN（1.8x1.4）工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 表面安装	¥2.50315
STG4158BJR	意法半导体 (STMicroelectronics)	电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 600毫欧姆 (Typ) 供应商设备包装: 6-FlipChip (1.23x0.83) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA）安装类别: 表面安装	¥42.39571
STGWA50H65DFB2	意法半导体 (STMicroelectronics)	暂无	¥33.44106
STGWA30H65DFB2	意法半导体 (STMicroelectronics)	暂无	¥47.8285
STGYA50M120DF3	意法半导体 (STMicroelectronics)	暂无	¥157.69427
STGAP2SICSCTR	意法半导体 (STMicroelectronics)	暂无	¥43.83491
STGAP2SICSNCTR	意法半导体 (STMicroelectronics)	暂无	¥36.39422
STGIK10M120T		DISCRETE	¥0.00

STGD18N40LZ-1所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGD18N40LZ-1 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGD18N40LZ-1价格参考￥23.973999，你可以下载 STGD18N40LZ-1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGD18N40LZ-1规格参数、现货库存、封装信息等信息！