9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGWT38IH130D，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGWT38IH130D参考价格$4.58000。STMicroelectronics STGWT38IH130D封装/规格：IGBT 1300V 63A 250W TO3P。您可以下载STGWT38IH130D英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGWT30H65FB是IGBT 650V 30A 260W TO3PL，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.238311盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-3P-3、SC-65-3以及标准输入类型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-3P，该设备为单配置，该设备最大功率为260W，集电器Ic最大值为30A，集电器-发射极击穿最大值为650V，IGBT类型为沟槽式场阻，集电器脉冲Icm为120A，最大Vge Ic上的Vce为2V@15V，30A，开关能量为151μJ（开），293μJ（关），栅极电荷为149nC，25°C时的Td为37ns/146ns，测试条件为400V、30A、10 Ohm、15V，Pd功耗为260 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为650 V，集电极/发射极饱和电压为1.75 V，25℃时的连续集电极电流为30A，栅极-发射极漏电流为250nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为60A。
STGWT30V60F带用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在2.3V@15V、30A Vce（最大Vge Ic）下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.245577盎司，提供400V、30A、10欧姆、15V、Td等测试条件功能。25°C设计用于45ns/189ns，以及383μJ（开），233μJ（关断）开关能量，该器件也可用作TO-3P供应商器件包。此外，该系列为600-650V IGBT，该器件提供260W最大功率，该器件具有260W的Pd功耗，封装为管式，封装外壳为TO-3P-3、SC-65-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅极-发射极电压为20V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻型，栅极-发射极漏电流为250nA，栅极电荷为163nC，集流器脉冲Icm为120A，集流电流Ic Max为60A，连续集流器电流Ic Max为30A，25℃时的连续集流电流为60A，并且配置为单，并且集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，并且集极-发射极饱和电压为2.3 V。
STGWT30V60DF是IGBT 600V 60A 258W TO3P-3，包括2.35 V集电极-发射极饱和电压，它们设计为在600 V集电极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供25 C下的连续集电极电流，如60 a，集电极Ic Max设计为在60 a下工作，该器件还可以用作163nC栅极电荷。此外，栅极-发射极漏电流为250 nA，该器件采用沟槽场阻IGBT型，该器件具有输入型标准，最大栅极-发射极电压为20 V，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为通孔，安装方式为通孔，包装箱为TO-3P-3、SC-65-3，包装为管状，Pd功耗为258 W，最大功率为258W，反向恢复时间trr为53ns，系列为600-650V IGBT，供应商设备包装为TO-3P，开关能量为383μJ（开）、233μJ（关），25°C时的Td为45ns/189ns，测试条件为400V、30A、10 Ohm、15V，单位重量为0.238311盎司，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，30A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
