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IKB15N65EH5ATMA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 105瓦 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1000

数量 单价 合计
1+ 15.08406 15.08406
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 最大集电极电流 (Ic) 30 A
  • 门电荷 38 nC
  • 最大整流电流 (Icm) 45 A
  • 反向恢复时长 (trr) 70 ns
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 15A
  • 最大功率 105瓦
  • 供应商设备包装 PG-TO263-3
  • 开关能量 400J (on), 80J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 16ns/145ns
  • 试验条件 400V, 15A, 39欧姆, 15V

IKB15N65EH5ATMA1 产品详情

600 V,15 A硬开关TRENCHSTOP™ IGBT3与TO263 D2Pak封装中的全额定续流二极管共同封装,由于沟槽单元和场阻概念的结合,导致器件的静态和动态性能显著提高。IGBT与软恢复发射极控制二极管的组合进一步减小了导通损耗。由于开关损耗和传导损耗之间的最佳折衷,达到了最高效率。

特色

  • 降低传导损耗的最低VCEsat压降
  • 低开关损耗
  • 由于VCEsat中的正温度系数,易于并联切换
  • 非常软、快速恢复的反并联发射极控制二极管
  • 高强度,温度稳定
  • 低EMI发射
  • 低栅极电荷
  • 非常紧密的参数分布
  • 最高效率–低传导和开关损耗
  • 600 V和1200 V的综合产品组合,设计灵活
  • 设备可靠性高

应用

潜在应用

     
IKB15N65EH5ATMA1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),IKB15N65EH5ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IKB15N65EH5ATMA1价格参考¥15.084064,你可以下载 IKB15N65EH5ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IKB15N65EH5ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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