9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGW30H60DF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGW30H60DF参考价格$8.032。STMicroelectronics STGW30H60DF封装/规格：IGBT 600V 60A 260W TO247。您可以下载STGW30H60DF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STGW28IH125DF带有引脚细节，包括900-1300V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-247-3以及标准输入类型，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单配置，该设备的最大功率为375W，集电器Ic最大值为60A，集电器-发射极击穿最大值为1250V，IGBT类型为沟槽场阻，集电器脉冲Icm为120A，最大Vce Vge Ic为2.5V@15V，25A，开关能量为720μJ（关），栅极电荷为114nC，25°C时的Td为-/128ns，测试条件为600V、25A、10 Ohm、15V，Pd功耗为375 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1.25 kV，集电极/发射极饱和电压为2.65 V，并且25℃下的连续集电极电流为60A，并且栅极-发射极漏电流为250nA，并且最大栅极-发射极电压为20V，并且持续集电极电流Ic-Max为30A。
STGW25S120DF3带用户指南，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、25A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，适用于600V、25A、15 Ohm、15V，提供Td开-关25°C特性，如31ns/147ns，开关能量设计为830μJ（开）、2.37mJ（关），以及TO-247-3供应商设备包，该设备也可以用作900-1300V IGBT系列。此外，反向恢复时间trr为265ns，该设备的最大功率为375W，该设备具有375W的Pd功耗，包装为管式，包装箱为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅极-发射极电压为+/-20V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻型，栅极-发射极漏电流为250nA，栅极电荷为80nC，集流器脉冲Icm为100A，集流电流Ic Max为50A，连续集流器电流Ic Max为25A，25℃时的连续集流电流为50A，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2kV，集电极/发射极饱和电压为1.6V。
带有电路图的STGW25M120DF3，包括1.85V集电极-发射极饱和电压，它们设计为在1200V集电极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供25 C下的连续集电极电流，如50A，集电极Ic Max设计为在50A下工作，以及100A集流器脉冲Icm，该器件也可以用作85nC栅极电荷。此外，栅极-发射极漏电流为250 nA，该器件采用沟槽场阻IGBT型，该器件具有输入型标准，最大栅极-发射极电压为20 V，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为通孔，安装方式为通孔，包装箱为TO-247-3，包装为管式，Pd功耗为326 W，最大功率为375W，反向恢复时间trr为265ns，系列为900-1300V IGBT，供应商设备包装为TO-249-3，开关能量为850μJ（开），1.3mJ（关），25°C时的Td为28ns/150ns，测试条件为600V，25A，15 Ohm，15V，单位重量为1.340411盎司，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，25A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
