9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NGB8202NT4，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NGB8202NT4价格参考1.09000美元。onsemi NGB8202NT4封装/规格：IGBT 440V 20A 150W D2PAK。您可以下载NGB8202NT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NGB8202ANT4G是IGBT 440V 20A 150W D2PAK，包括NGB8202A系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.070548盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB以及逻辑输入类型，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为D2PAK，该设备的最大功率为150W，该设备具有20A的电流收集器Ic Max，电压收集器-发射器击穿最大值为440V，电流收集器脉冲Icm为50A，Vce on Max Vge Ic为1.9V@4.5V，20A，Td on off 25°C为-/5μs，测试条件为300V，9A，1kOhm，5V，Pd功耗为150W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为440 V，25 C时的连续集电极电流为20 A，栅极-发射极漏电流为350 uA，最大栅极-发射极电压为15 V。
NGB18N40CLBT4是IGBT 430V 18A 115W D2PAK，包括430V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.5V@4V、15A Vce运行，数据表中显示了用于D2PAK的供应商设备包，该D2PAK提供功率最大值功能，如115W，封装设计为在磁带和卷轴（TR）以及to-263-3、D2PAK（2引线+标签）中工作，TO-263AB封装盒，该设备也可以用作表面安装型。此外，输入类型为逻辑，该设备提供50A电流收集器脉冲Icm，该设备具有18A电流收集器最大Ic。
NGB18N40CLBT4G是IGBT 430V 18A 115W D2PAK，包括18A集流器Ic Max，设计用于50A集流脉冲Icm，输入类型如数据表注释所示，用于逻辑电路，提供表面安装等安装类型功能，封装盒设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作115W最大功率。此外，供应商设备包为D2PAK，该设备在最大Vge Ic上提供2.5V@4V、15A Vce的电压，该设备具有430V的集电极-发射极击穿最大值。
