9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGW60H65DRF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGW60H65DRF参考价格为5.45000美元。STMicroelectronics STGW60H65DRF封装/规格：IGBT 650V 120A 420W TO247。您可以下载STGW60H65DRF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STGW60H65DFB是IGBT 650V 80A 375W TO-247，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式特征，封装盒设计用于TO-247-3，以及标准输入类型，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单配置，该设备的最大功率为375W，反向恢复时间trr为60ns，集电器Ic最大值为80A，集电器-发射极击穿最大值为650V，IGBT类型为沟槽场停止，集电器脉冲Icm为240A，最大Vge Ic上的Vce为2V@15V，60A，开关能量为1.09mJ（开），626μJ（关），栅极电荷为306nC，25°C时的Td为51ns/160ns，测试条件为400V，60A，5欧姆，15V，Pd功耗为375 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为650 V，且集电极-发射极饱和电压为1.6V，且25℃时的连续集电极电流为80A，且栅极-发射极漏电流为250nA，且最大栅极-发射极电压为20V，且持续集电极电流Ic-Max为60A。
STGW60H60DLFB是IGBT 600V 80A 375W TO-247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2V@15V、60A Vce运行，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供400V、60A、5欧姆、15V、Td开-关25°C等测试条件功能，以及626μJ（关断）开关能量，该器件也可以用作TO-247供应商器件包。此外，该系列为600-650V IGBT，该器件的最大功率为375W，该器件具有375W的Pd功耗，封装为管式，封装外壳为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅极-发射极电压为+/-20V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻型，栅极-发射极漏电流为250nA，栅极电荷为306nC，集流器脉冲Icm为240A，集流电流Ic Max为80A，连续集流器电流Ic Max为60A，25℃时的连续集流电流为80A，并且配置为单，并且集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，并且集极-发射极饱和电压为1.6 V。
STGW60H65DF是IGBT 650V 120A 360W TO247，包括2.1 V集电极-发射极饱和电压，它们设计用于650 V集电极电压VCEO Max，25 C时的连续集电极电流如数据表注释所示，用于120 a，提供120A等集电极Ic Max功能，集电极脉冲Icm设计用于240A，除了206nC栅极电荷之外，该器件还可以用作沟槽场截止IGBT类型。此外，输入类型为标准型，该器件提供20 V最大栅发射极电压，该器件具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，封装外壳为TO-247-3，封装为管，Pd功耗为360 W，功率最大值为360W，反向恢复时间trr为62ns，系列为600-650V IGBT，供应商设备包为TO-247，开关能量为1.5mJ（开）、1.1mJ（关），25°C时的Td为67ns/165ns，测试条件为400V、60A、10 Ohm、15V，单位重量为0.229281 oz，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V、60A，集电极-发射极击穿最大值为650V。
