9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGWA30H65FB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGWA30H65FB参考价格为31.359666美元。STMicroelectronics STGWA30H65FB封装/规格：IGBT。您可以下载STGWA30H65FB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如STGWA30H65FB价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STGWA25M120DF3带有引脚细节，包括900-1300V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-247-3以及标准输入类型，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-247长引线，该设备为单配置，该设备的最大功率为375W，反向恢复时间trr为265ns，集电器Ic最大值为50A，集电器发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为沟槽式场阻，集电器脉冲Icm为100A，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，25A，开关能量为850μJ（开），1.3mJ（关），栅极电荷为85nC，开-关25°C时的Td为28ns/150ns，测试条件为600V、25A、15 Ohm、15V，Pd功耗为375 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，并且集电极-发射极电压VCEO Max为1.2kV，集电极-发射器饱和电压为1.85V，并且25℃时的连续集电极电流为50A，栅极-发射极漏电流为250nA，并且最大栅极-发射极电压为20V，并且连续集电极电流Ic Max为25A。
带有用户指南的STGWA25S120DF3，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、25A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，适用于600V、25A、15欧姆、15V，提供Td开-关25°C特性，如31ns/147ns，开关能量设计为在830μJ（开）、2.37mJ（关）下工作，以及TO-247-3供应商设备包，该设备也可以用作900-1300V IGBT系列。此外，反向恢复时间trr为265ns，该设备的最大功率为375W，该设备具有375W的Pd功耗，包装为管式，包装箱为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅极-发射极电压为+/-20V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻型，栅极-发射极漏电流为250nA，栅极电荷为80nC，集流器脉冲Icm为100A，集流电流Ic Max为50A，连续集流器电流Ic Max为25A，25℃时的连续集流电流为50A，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2kV，集电极/发射极饱和电压为1.6V。
带有电路图的STGWA30M65DF2，包括60A集流器Ic Max，它们设计为与120A集流脉冲Icm一起工作，数据表注释中显示了用于80nC的栅极电荷，该80nC提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入类型设计为标准工作，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，包装为管式，该设备的最大功率为258W，该设备具有140ns的反向恢复时间trr，供应商设备包装为TO-247长引线，开关能量为300μJ（开）、960μJ（关），25°C时的Td为31.6ns/15ns，测试条件为400V、30A、10 Ohm、15V，最大Vge Ic为2V@15V、30A，电压收集器-发射极击穿最大值为650V。
