9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NGB8206N，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NGB8206N价格参考$4.095696。onsemi NGB8206N封装/规格：IGBT 390V 20A 150W D2PAK。您可以下载NGB8206N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NGB8206ANT4G是IGBT 390V 20A 150W D2PAK3，包括NGB8206A系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.070548盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及逻辑输入类型，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为D2PAK，该设备的最大功率为150W，该设备具有20A的电流收集器Ic Max，电压收集器-发射器击穿最大值为390V，电流收集器脉冲Icm为50A，Vce on Max Vge Ic为1.9V@4.5V，20A，Td on off 25°C为-/5μs，测试条件为300V，9A，1kOhm，5V，Pd功耗为150W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为390 V，25 C时的连续集电极电流为20 A，栅极-发射极漏电流为350 uA，最大栅极-发射极电压为15 V。
NGB8206ANTF4G是IGBT 390V 20A 150W D2PAK3，包括390V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.9V@4.5V、20A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.070548盎司，提供300V、9A、1 kOhm、5V、Td on off 25°C等测试条件功能，该设备也可以用作NGB8206A系列。此外，最大功率为150W，该设备提供150W Pd功耗，该设备具有封装带和卷轴（TR），封装盒为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅极发射极电压为15V，输入类型为逻辑，栅极发射极漏电流为350uA，集流器脉冲Icm为50A，集流器Ic最大值为20A，25℃时的连续集流器电流为20A。集流器发射极电压VCEO最大值为390V。
NGB8206ANSL3G是IGBT 390V 20A 150W D2PAK3，包括390 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计为在25 C时以20 a的连续集电极电流运行，数据表中显示了20A中使用的集电极Ic Max，该20A提供集电极脉冲Icm功能，如50A，栅极-发射极漏电流设计为在350 uA下工作，除了逻辑输入类型外，该器件还可以用作15 V最大栅极发射极电压，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为通孔，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，封装为管，Pd功耗为150W，最大功率为150W；系列为NGB8206A；供应商设备包为D2PAK；25°C时的Td为-/5μs；测试条件为300V、9A、1kOhm、5V；单位重量为0.079014 oz；最大Vge Ic上的Vce为1.9V@4.5V、20A；电压收集器-发射器击穿最大值为390V。
