9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGWA45HF60WDI，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGWA45HF60WDI参考价格为5.84000美元。STMicroelectronics STGWA45HF60WDI封装/规格：IGBT 600V 80A 310W TO247。您可以下载STGWA45HF60WDI英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGWA40M120DF3带有引脚细节，包括900-1300V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-247-3以及标准输入类型，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单配置，该设备的最大功率为468W，反向恢复时间trr为355ns，集电器Ic最大值为80A，集电器-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为沟槽场停止，集电器脉冲Icm为160A，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，40A，开关能量为1.03mJ（开），480μJ（关），栅极电荷为125nC，25°C时的Td为35ns/140ns，测试条件为600V，40A，10欧姆，15V，Pd功耗为468W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，且集电极-发射极饱和电压为1.85V，且25℃时的连续集电极电流为80A，且栅极-发射极漏电流为250nA，且最大栅极-发射极电压为20V，且持续集电极电流Ic-Max为40A。
STGWA40S120DF3，带有用户指南，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.15V@15V、40A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，适用于600V、40A、15欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如35ns/148ns，开关能量设计为在1.43mJ（开）、3.83mJ（关）下工作，以及TO-247-3供应商设备包，该设备也可以用作900-1300V IGBT系列。此外，反向恢复时间trr为355ns，该设备的最大功率为468W，该设备具有468W的Pd功耗，包装为管状，包装箱为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅极-发射极电压为+/-20V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻型，栅极-发射极漏电流为250nA，栅极电荷为129nC，集流器脉冲Icm为160A，集流电流Ic Max为80A，连续集流器电流Ic Max为40A，25℃时的连续集流电流为80A，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2kV，集电极发射极饱和电压为1.65V。
STGWA40N120KD是IGBT 1200V 80A 240W TO247，包括80A集流器Ic Max，它们设计为与120A集流脉冲Icm一起工作，数据表注释中显示了用于126nC的栅极电荷，该126nC提供输入类型功能，如标准，安装类型设计为在通孔中工作，以及to-247-3封装盒，该装置也可以用作管包装。此外，最大功率为240W，设备提供84ns反向恢复时间trr，设备具有PowerMESH？系列，供应商设备包为TO-247，开关能量为3.7mJ（开）、5.7mJ（关），25°C时的Td为48ns/338ns，测试条件为960V、30A、10 Ohm、15V，Vce on Max Vge Ic为3.85V@15V，30A，电压集电极-发射极击穿最大值为1200V。
