9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGP18N40LZ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGP18N40LZ参考价格为26.796美元。STMicroelectronics STGP18N40LZ封装/规格：IGBT 420V 30A 150W TO220。您可以下载STGP18N40LZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGP15H60DF带有引脚细节，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-220-3以及标准输入类型，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-220，该设备为单配置，该设备的最大功率为115W，反向恢复时间trr为103ns，集电器Ic最大值为30A，集电器-发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为沟槽场阻，集电器脉冲Icm为60A，最大Vge Ic上的Vce为2V@15V，15A，开关能量为136μJ（开）、207μJ（关），栅极电荷为81nC，25°C时的Td为24.5ns/18ns，测试条件为400V、15A、10 Ohm、15V，Pd功耗为115 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极-发射极饱和电压为1.6V，25℃时的连续集电极电流为30A，栅极-发射极漏电流为250nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为15A。
STGP14NC60KD是IGBT 600V 25A 80W TO220，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.5V@15V、7A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供390V、7A、10欧姆、15V、Td on off 25°C等测试条件功能。设计为在22.5ns/116ns以及82μJ（开）下工作，155μJ（关断）开关能量，该装置也可用作TO-220AB供应商装置包。此外，该系列是PowerMESH？，该设备的反向恢复时间为37ns，最大功率为80W，Pd功耗为28W，包装为管状，包装箱为TO-220-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，最大栅极发射极电压为+/-20V，输入类型为标准，栅极发射极漏电流为150uA，栅极电荷为34.4nC，集流器脉冲Icm为50A，集流电流Ic Max为25A，连续集流器电流Ic Max为7A，25℃下的连续集流电流为11A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为600V，集电极-发射器饱和电压为2V。
带有电路图的STGP15M65DF2，包括30A集流器Ic Max，它们设计为与60A集流脉冲Icm一起工作，数据表注释中显示了用于45nC的栅极电荷，该45nC提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入类型设计为标准工作，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，包装为管式，该设备的最大功率为136W，该设备具有142ns的反向恢复时间trr，供应商设备包装为TO-220，开关能量为90μJ（开）、450μJ（关），25°C时的Td为24ns/93ns，测试条件为400V、15A、12 Ohm、15V，最大Vge Ic为2V@15V、15A，电压收集器-发射极击穿最大值为650V。
