9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGP30NC60S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGP30NC60S参考价格$3.872。STMicroelectronics STGP30NC60S封装/规格：IGBT 600V 55A 175W TO220。您可以下载STGP30NC60S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGP30H65F带有引脚细节，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-220-3以及标准输入类型，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-220，该设备为单配置，该设备最大功率为260W，集电器Ic最大值为60A，集电器-发射极击穿最大值为650V，IGBT类型为沟槽式场阻，集电器脉冲Icm为120A，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，30A，开关能量为350μJ（开），400μJ（关），栅极电荷为105nC，25°C时的Td为50ns/160ns，测试条件为400V、30A、10 Ohm、15V，Pd功耗为260 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为650 V，集电极/发射极饱和电压为2.4 V，25℃时的连续集电极电流为60A，栅极发射极漏电流为250nA，最大栅极发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为30A。
带有用户指南的STGP30M65DF2，包括650V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2V@15V、30A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，适用于400V、30A、10 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如31.6ns/15ns，开关能量设计为在300μJ（开）、960μJ（关）下工作，以及TO-220供应商设备包，该设备也可以用作140ns反向恢复时间trr。此外，最大功率为258W，该器件采用管式封装，该器件具有TO-220-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为80nC，集电器脉冲Icm为120A，集电器Ic最大值为60A。
STGP30NC60K是IGBT 600V 60A 185W TO220AB，包括60A集流器Ic Max，它们设计用于125A集流脉冲Icm，数据表注释中显示了用于96nC的栅极电荷，该96nC提供输入类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及to-220-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，功率最大值为185W，该设备采用PowerMESH？系列，该器件具有供应商器件包的TO-220AB，开关能量为350μJ（开）、435μJ（关），25°C时的Td为29ns/120ns，测试条件为480V、20A、10 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V、20A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
