这些IGBT是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的,其性能在传导和开关损耗方面都得到了优化。具有低正向压降的续流二极管被共同封装。其结果是一种专门设计用于任何谐振和软开关应用的效率最大化的产品。
特色
- 仅设计用于软换向
- 最高结温:TJ=175°C
- 最小化尾电流
- 五、行政长官(sat)=2.0 V(典型值)@IC=15年
- 紧密参数分布
- 安全并联
- 非常低的VF软恢复共封装二极管
- 低热阻
- 无铅包装
起订量: 600
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 6.25312 | 6.25312 |
10+ | 6.09548 | 60.95480 |
30+ | 5.99038 | 179.71155 |
100+ | 5.55949 | 555.94980 |
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这些IGBT是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的,其性能在传导和开关损耗方面都得到了优化。具有低正向压降的续流二极管被共同封装。其结果是一种专门设计用于任何谐振和软开关应用的效率最大化的产品。
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