STGW40N120KD

Name: STGW40N120KD
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7173791-STGW40N120KD
Price: 117.906445 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:集电极击穿电压: 1200伏最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 240瓦供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

IGBT型 -
输入类别标准
安装类别通孔
包装/外壳至247-3
部件状态过时的
集电极击穿电压 1200伏
最大集电极电流 (Ic) 80 A
最大整流电流 (Icm) 120 A
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
供应商设备包装 TO-247-3
最大功率 240瓦
门电荷 126 nC
试验条件 960伏、30安、10欧姆、15伏
反向恢复时长 (trr) 84 ns
工作温度 -55摄氏度~125摄氏度（TJ）
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 3.85V @ 15V, 30A
开关能量 3.7mJ (on), 5.7mJ (off)
开通/关断延时 (25°C) 48ns/338ns

STGW40N120KD 产品详情

STGW40N120KD是一种1200V短路坚固型IGBT，具有超快二极管，利用先进的PowerMESH™ 这在开关性能和低导通状态行为之间产生了极好的折衷。随着温度的升高，关断能量分布得到改善，从而降低了开关损耗。

特色

损失低
高电流能力
低栅极电荷
10µs短路耐受时间
低VCE（sat）可降低传导损耗
紧凑的参数分布，简化设计，易于并联

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STGW40N120KD所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGW40N120KD 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGW40N120KD价格参考￥117.906445，你可以下载 STGW40N120KD中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGW40N120KD规格参数、现货库存、封装信息等信息！