这些器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。这些器件是V系列IGBT的一部分，这代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，以最大化极高频率转换器的效率。此外，正V行政长官（sat）温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。
特色
- 最高结温：TJ=175°C
- 无尾关闭
- 五、行政长官（sat）=1.85 V（典型值）@IC=60年
- 紧密参数分布
- 安全并联
- 低热阻
- 超快软恢复反并联二极管
STGW60V60DLF
- 描述:IGBT BIPO 600V 60A TO247
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥47.75968
-
数量:
- +
- 总计: ¥47.76
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规格参数
- 部件状态 可供货
- IGBT型 -
- 反向恢复时长 (trr) -
- 开关能量 -
- 开通/关断延时 (25°C) -
- 试验条件 -
- 集电极击穿电压 -
- 最大集电极电流 (Ic) -
- 最大整流电流 (Icm) -
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) -
- 最大功率 -
- 输入类别 -
- 门电荷 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
STGW60V60DLF 产品详情
STGW60V60DLF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | STGB19N40LZ | 意法半导体 (STMicroelectronics) | IGBT | ¥8.60638 |
 | STGB10NB60ST4 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 29 A 最大功率: 80 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥81.55665 |
 | STG3684AUTR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 电线数量: two 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 500毫欧姆 供应商设备包装: 10-QFN（1.8x1.4） 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥2.50315 |
 | STG4158BJR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 电线数量: one 多路复用器/解复用器电路: 2:1 最大值通态电阻: 600毫欧姆 (Typ) 供应商设备包装: 6-FlipChip (1.23x0.83) 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥42.39571 |
| STGWA50H65DFB2 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 暂无 | ¥33.44106 |
| STGWA30H65DFB2 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 暂无 | ¥47.8285 |
| STGYA50M120DF3 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 暂无 | ¥157.69427 |
| STGAP2SICSCTR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 暂无 | ¥43.83491 |
| STGAP2SICSNCTR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 暂无 | ¥36.39422 |
| STGIK10M120T | DISCRETE | ¥0.00 |
STGW60V60DLF所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGW60V60DLF 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGW60V60DLF价格参考￥47.759683，你可以下载 STGW60V60DLF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGW60V60DLF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
