9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGB35N35LZT4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGB35N35LZT4参考价格为7.697114美元。STMicroelectronics STGB35N35LZT4封装/规格：IGBT 345V 40A 176W D2PAK。您可以下载STGB35N35LZT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STGB30V60DF是IGBT 600V 60A 258W D2PAK，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、to-263AB以及标准输入类型，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为D2PAK，该设备为单配置，该设备的最大功率为258W，反向恢复时间trr为53ns，集电器Ic最大值为60A，集电器-发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为沟槽场阻，集电器脉冲Icm为120A，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，30A，开关能量为383μJ（开），233μJ（关），栅极电荷为163nC，25°C时的Td为45ns/189ns，测试条件为400V，30A，10 Ohm，15V，Pd功耗为258 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，且集电极-发射极饱和电压为1.85V，且25℃时的连续集电极电流为60A，且栅极-发射极漏电流为250nA，且最大栅极-发射极电压为20V，且持续集电极电流Ic-Max为30A。
STGB30V60F是V S型沟槽栅极现场停止IGBT，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.3V@15V、30A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，适用于400V、30A、10 Ohm、15V，可提供45ns/189ns等25°C的Td开-关特性，开关能量设计为383μJ（开）、233μJ（关），除了D2PAK供应商器件封装外，该器件还可以用作260W最大功率。此外，该封装为Digi-ReelR替代封装，该器件提供TO-263-3、D2PAK（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒，该器件具有安装型表面安装，输入型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为163nC，集流器脉冲Icm为120A，集流器Ic Max为60A。
STGB35N35LZ-1是IGBT 345V 40A 176W I2PAK，包括40A集流器Ic Max，它们设计用于80A集流脉冲Icm，栅极电荷如数据表注释所示，用于49nC，提供逻辑等输入类型功能，安装类型设计用于通孔，以及to-262-3长引线、I2PAK、to-262AA封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，功率最大值为176W，该设备采用PowerMESH？系列，该器件具有供应商器件包的I2PAK，25°C时的Td为1.1μs/26.5μs，测试条件为300V、15A、5V，最大Vge Ic为1.7V@4.5V、15A，集电极-发射极击穿最大值为345V。
