9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGY80H65DFB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGY80H65DFB参考价格为14.45000美元。STMicroelectronics STGY80H65DFB封装/规格：IGBT 650V 120A 469W MAX247。您可以下载STGY80H65DFB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STGWT80V60F带有引脚细节，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.238311盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-3P-3、SC-65-3以及标准输入型，该设备也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-3P，该设备为单配置，该设备的最大功率为469W，集电器Ic最大值为120A，集电器-发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为沟槽场阻，集电器脉冲Icm为240A，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，80A，开关能量为1.8mJ（开），1mJ（关），栅极电荷为448nC，25°C时的Td为60ns/220ns，测试条件为400V、80A、10 Ohm、15V，Pd功耗为469 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.85 V，25℃时的连续集电极电流为120A，栅极-发射极漏电流为250nA，最大栅极-发射极电压为20V，连续集电极电压Ic-Max为80A。
STGY50NC60WD是IGBT 600V 110A 278W MAX247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在2.6V@15V、40A Vce（最大Vge Ic）下工作，测试条件如数据表注释所示，用于390V、40V、10 Ohm、15V，提供Td开-关25°C功能，如52ns/240ns，开关能量设计用于365μJ（开）、560μJ（关）下工作，以及MAX247？供应商设备包，该设备也可以用作PowerMESH？系列此外，反向恢复时间trr为55ns，该器件的最大功率为278W，该器件有一个封装管，封装盒为TO-247-3，安装方式为通孔，安装类型为通孔。该器件的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大栅发射极电压为+/-20 V，输入类型为标准，栅极电荷为195nC，集电极脉冲Icm为180A，集电极电流Ic最大值为110A，连续集电极电流最大值为110 A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V。
STGY40NC60VD是IGBT 600V 80A 260W MAX247，包括600 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计为以单配置运行，连续集电极电流Ic Max如数据表注释所示，用于80A，提供电流集电极Ic Max功能，如80A，栅极电荷设计为在214nC下工作，以及标准输入类型，该器件也可以用作+/-20 V的最大栅发射极电压，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，该器件具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，封装外壳为TO-247-3，封装为管，最大功率为260W，反向恢复时间trr为44ns，系列为PowerMESH？，供应商设备包为MAX247？，开关能量为330μJ（开）、720μJ（关），25°C时的Td为43ns/140ns，测试条件为390V、40A、3.3 Ohm、15V，最大Vge Ic为2.5V@15V、40V，集电极-发射极击穿最大值为600V。
