9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGW45HF60WDI，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGW45HF60WDI参考价格$5.284。STMicroelectronics STGW45HF60WDI封装/规格：IGBT 600V 70A 250W TO247。您可以下载STGW45HF60WDI英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如STGW45HF60WDI价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STGW40V60F是IGBT 600V 80A 283W TO247，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-247-3，以及标准输入型，该设备也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单配置，该设备的最大功率为283W，集电器Ic最大值为80A，集电器-发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为沟槽场阻，集电器脉冲Icm为160A，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，40A，开关能量为456μJ（开），411μJ（关），栅极电荷为226nC，25°C时的Td为52ns/208ns，测试条件为400V、40A、10 Ohm、15V，Pd功耗为283W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.35 V，25℃时的连续集电极电流为80A，最大栅极-发射极电压为+/-20V，连续集电极电压Ic-Max为40A。
STGW40V60DLF是IGBT 600V 80A 283W TO247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.3V@15V、40A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供400V、40A、10欧姆、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，以及411μJ（关断）开关能量，该器件也可以用作TO-247供应商器件包。此外，该系列是600-650V IGBT，该器件提供283W最大功率，该器件具有283W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，最大栅极-发射极电压为20V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟道场阻型，栅极-发射极漏电流为250nA，栅极电荷为226nC，集流器脉冲Icm为160A，集流器Ic Max为80A，25C时的连续集流器电流为80A，集电极-发射极电压VCEO Max为600V，集电极-发射器饱和电压为2.35V。
STGW45HF60WD是IGBT 600V 70A 250W TO247，包括1.9 V集电极-发射极饱和电压，它们设计为在25 C时以70 a的连续集电极电流运行，数据表中显示了用于70A的集电极Ic Max，该集电极提供150A等集电极脉冲Icm功能，栅极充电设计为在160nC下工作，该器件还可以用作标准输入类型。此外，最大栅极发射极电压为20V，该器件为通孔安装型，该器件具有安装类型的通孔，封装盒为TO-247-3，封装为管，Pd功耗为250W，最大功率为250W、反向恢复时间trr为55ns，系列为600-650V IGBT，供应商器件封装为TO-248-3，开关能量为300μJ（开）、330μJ（关），25°C时的Td为30ns/145ns，测试条件为400V、30A、6.8 Ohm、15V，单位重量为0.229281 oz，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V、30A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
