9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGP35N35LZ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGP35N35LZ参考价格$4.536。STMicroelectronics STGP35N35LZ封装/规格：IGBT 345V 40A 176W TO220。您可以下载STGP35N35LZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STGP30V60F是IGBT 600V 60A 260W TO220AB，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-220-3，以及标准输入类型，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-220，该设备为单配置，该设备的最大功率为260W，集电器Ic最大值为60A，集电器-发射极击穿最大值为600V，IGBT类型为沟槽场阻，集电器脉冲Icm为120A，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，30A，开关能量为383μJ（开），233μJ（关），栅极电荷为163nC，25°C时的Td为45ns/189ns，测试条件为400V、30A、10 Ohm、15V，Pd功耗为260 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为2.3 V，并且25℃下的连续集电极电流为60A，并且栅极-发射极漏电流为250nA，并且最大栅极-发射极电压为20V，并且持续集电极电流Ic-Max为30A。
STGP35HF60W是IGBT 600V 60A 200W TO220，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在2.5V@15V、20A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130 oz，提供400V、20A、10 Ohm、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，185μJ（关断）开关能量，该装置也可用作TO-220供应商装置包。此外，该系列是600-650V IGBT，该器件的最大功率为200W，该器件具有200W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为TO-220-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大栅极发射极电压为20V，输入类型为标准，栅极发射极漏电流为100nA，栅极电荷为140nC，集电极脉冲Icm为150A，集电极电流Ic最大值为60A，连续集电极电流最大值为35A，25℃时的连续集电极电流为60A，集电极-发射极电压VCEO Max为600V，集电极-发射器饱和电压为1.65V。
STGP30V60DF是IGBT 600V 60A 258W TO220AB，包括2.35 V集电极-发射极饱和电压，它们设计为在600 V集电极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供25 C下的连续集电极电流，如60 a，集电极Ic Max设计为在60 a下工作，该器件还可以用作163nC栅极电荷。此外，栅极-发射极漏电流为250 nA，该器件采用沟槽场阻IGBT型，该器件具有输入型标准，最大栅极-发射极电压为20 V，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为通孔，安装方式为通孔，包装箱为TO-220-3，包装为管状，Pd功耗为258 W，最大功率为258W，反向恢复时间trr为53ns，系列为600-650V IGBT，供应商设备包装为TO-220，开关能量为383μJ（开）、233μJ（关），25°C的Td为45ns/189ns，测试条件为400V、30A、10 Ohm、15V，单位重量为0.081130盎司，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，30A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
