STGWT60H60DLFB

Name: STGWT60H60DLFB
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7174011-STGWT60H60DLFB
Price: 14.804488 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 375瓦供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

输入类别标准
反向恢复时长 (trr) -
安装类别通孔
部件状态过时的
包装/外壳至3P-3，SC-65-3
供应商设备包装 TO-3P
集电极击穿电压 600 V
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
IGBT型场终止沟道
最大集电极电流 (Ic) 80 A
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
最大整流电流 (Icm) 240 A
门电荷 306 nC
开通/关断延时 (25°C) -/160纳秒
最大功率 375瓦
试验条件 400V, 60A, 5欧姆, 15V
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 60A
开关能量 626J (off)

STGWT60H60DLFB 产品详情

该器件是使用先进的专有沟槽栅极和场停止结构开发的IGBT。该器件是改进的“H”系列IGBT的一部分，它代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷，以最大化极高频率转换器的效率。此外，轻微正V_{行政长官（sat）}温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。

特色

最高结温：T_J=175°C
高速开关系列
最小化尾电流
五、_{行政长官（sat）}=1.6 V（典型值）@I_C=60年
紧密参数分布
安全并联
低热阻
低电压_F软恢复共封装二极管
无铅包装

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STGWT60H60DLFB所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGWT60H60DLFB 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGWT60H60DLFB价格参考￥14.804488，你可以下载 STGWT60H60DLFB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGWT60H60DLFB规格参数、现货库存、封装信息等信息！