9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGW19NC60H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGW19NC60H参考价格为2.27000美元。STMicroelectronics STGW19NC60H封装/规格：IGBT 600V 42A 140W TO-247。您可以下载STGW19NC60H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STGW15H120F2带有引脚细节，包括900-1300V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-247-3以及标准输入类型，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-247，该设备为单配置，该设备的最大功率为259W，集电器Ic最大值为30A，集电器-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为沟槽场阻，集电器脉冲Icm为60A，最大Vge Ic上的Vce为2.6V@15V，15A，开关能量为380μJ（开），370μJ（关），栅极电荷为67nC，25°C时的Td为23ns/111ns，测试条件为600V、15A、10欧姆、15V，Pd功耗为259 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极/发射极饱和电压为2.1 V，并且25℃下的连续集电极电流为30A，并且栅极-发射极漏电流为250nA，并且最大栅极-发射极电压为20V，并且持续集电极电流Ic-Max为15A。
STGW15S120DF3带用户指南，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在2.05V@15V、15A Vce（最大Vge Ic）下工作，测试条件如数据表注释所示，适用于600V、15A、22欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如23ns/140ns，开关能量设计用于540μJ（开）、1.38mJ（关）、，以及TO-247-3供应商设备包，该设备也可以用作900-1300V IGBT系列。此外，反向恢复时间trr为270ns，该设备的最大功率为259W，该设备具有259W的Pd功耗，包装为管式，包装箱为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大栅极-发射极电压为+/-20V，输入类型为标准型，IGBT类型为沟槽场阻型，栅极-发射极漏电流为250nA，栅极电荷为53nC，集流器脉冲Icm为60A，集流电流Ic Max为30A，连续集流器电流Ic Max为15A，25℃时的连续集流电流为30A，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2kV，集电极发射极饱和电压为1.55V。
STGW15M120DF3是IGBT 1200V 30A 259W，包括1.85 V集电极-发射极饱和电压，它们设计为在1200 V集电极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供25 C下的连续集电极电流，如30 a，集电极Ic Max设计为在30 a下工作，以及60A集流器脉冲Icm，该器件也可以用作226nC栅极电荷。此外，栅极-发射极漏电流为250 nA，该器件采用沟槽场阻IGBT型，该器件具有输入型标准，最大栅极-发射极电压为20 V，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为通孔，安装方式为通孔，包装箱为TO-247-3，包装为管式，Pd功耗为283W，最大功率为259W，反向恢复时间trr为270ns，系列为900-1300V IGBT，供应商设备包装为TO-247，开关能量为550μJ（开）、850μJ（关），25°C时的Td为26ns/122ns，测试条件为600V、15A、22 Ohm、15V，单位重量为1.340411盎司，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，15A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
