9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGB20NC60VT4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGB20NC60VT4参考价格为10.402美元。STMicroelectronics STGB20NC60VT4封装/规格：IGBT 600V 60A 200W D2PAK。您可以下载STGB20NC60VT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STGB20NB41LZT4是IGBT 442V 40A 200W D2PAK，包括PowerMESH？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装盒设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及标准输入型，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为D2PAK，该设备以单配置提供，该设备最大功率为200W，集电器Ic最大值为40A，集电器-发射极击穿最大值为442V，集电器脉冲Icm为80A，最大Vge Ic上的Vce为2V@4.5V，20A，开关能量为5mJ（开），12.9mJ（关），栅极电荷为46nC，25°C时的Td为1μs/12.1μs，测试条件为320V、20A、1kOhm、5V，Pd功耗为200 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为20 V，集电极/发射极饱和电压为2 V，25 C时的连续集电极电流为40 A，栅极-发射极漏电流为+/-660uA，最大栅极-发射极电压为12V，连续集电极电流Ic-Max为40A。
STGB20NC60V是IGBT 600V 60A 200W D2PAK，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.5V@15V、20A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供390V、20AA、3.3欧姆、15V、Td on off 25°C等测试条件功能，330μJ（关断）开关能量，该设备也可以用作D2PAK供应商设备包。此外，该系列是PowerMESH？，该设备提供200W最大功率，该设备具有200W的Pd功耗，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，最大栅极-发射极电压为+/-20V，输入类型为标准，栅极电荷为100nC，集电极脉冲Icm为100A，集电极Ic Max为60A，连续集电极电流Ic Max是60A，25℃时的连续集电极电压为60A，集电极-发射极饱和电压为1.8V。
STGB20NB40LZT4，带有ST制造的电路图。STGB20NB 40LZT4采用TO263封装，是IC芯片的一部分。
