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AOD514是MOSFET N-CH 30V 17A TO252，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外，该器件还可以用作2.5W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供951pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为17A（Ta）、46A（Tc），最大Id Vgs的Rds为6.5mOhm@20A、10V，Vgs最大Id为2.6V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为22.5nC@10V。
AOD516是MOSFET N-CH 30V 18A TO252，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与to-252（D-Pak）供应商设备包一起工作，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于5 mOhm@20A，10V，提供2.5W等功率最大特性，封装设计为在Digi-ReelR备用封装中工作，以及to-252-3，DPak（2引线+标签），SC-63包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1229pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有33nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为18A（Ta），46A（Tc）。
AOD512是由AOS制造的MOSFET N-CH 30V 27A TO252。AOD512采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 30V 27A TO252、N沟道30V 27B（Ta）、70A（Tc）2.5W（Ta）和83W（Tc）表面安装TO-252（D-Pak）。
