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AON6938是MOSFET 2N-CH 30V 17A/33A 8DFN，包括Digi-ReelR替代封装封装，它们设计为使用8功率VDFN封装盒操作，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为在8-DFN（5x6）以及2 N沟道（半桥）FET类型中工作，该器件还可以用作3.6W、4.3W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供1150pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为17A、33A，最大Id Vgs为8.2mOhm@20A、10V，Vgs th最大Id为2.5V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为24nC@10V。
带用户指南的AON6946，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8-DFN（5x6）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于11.6 mOhm@13A，10V，提供功率最大功能，如3.5W，3.9W。包装设计用于Digi-ReelR备用包装，以及8-PowerVDFN包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供485pF@15V输入电容Cis Vds，该器件具有15nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为14A、18A。
AON6936是MOSFET 2N-CH 30V 22A/40A 8DFN，包括22A、40A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于24nC@10V，除了984pF@15V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8 PowerVDFN封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为3.6W、4.3W，最大Id Vgs的Rds为4.9 mOhm@20A、10V，供应商设备包为8-DFN（5x6），Vgs th Max Id为2.5V@250μA。
