9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AON7202_101，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AON7202_101参考价格$1.18。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AON7202_101封装/规格：MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8DFN。您可以下载AON7202_101英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AON6998带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计为使用8-PowerWDFN封装盒操作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为在8-DFN-EP（5x6）以及2 N通道（双）非对称FET类型中工作，该器件还可以用作3.1W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供820pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为19A、26A，最大Id Vgs为5.2mOhm@20A、10V，Vgs th最大Id为2.2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为13nC@10V。
带用户指南的AON6996，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8-DFN（5x6）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于5.2 mOhm@20A，10V，提供功率最大功能，如3.1W，封装设计用于磁带和卷轴（TR），以及8-PowerSMD，扁平引线封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供820pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有13nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双）不对称，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为50A、60A。
AON7200是AO制造的MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN。AON7200有8-PowerSMD、扁平引线封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 15.8 A 8DFN、N沟道30V 15.8A（Ta）、40A（Tc）3.1W（Ta），62W（Tc）表面安装8-DFN（3x3）、Trans-MOSFET N-CH 30 V 40A 8-Pin DFN-A EP。
AON7202是由AOS制造的MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN。AON7202可提供8-PowerSMD扁平引线封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN、N沟道30V 20A（Ta）、40A（Tc）3.1W（Ta）和36W（Tc）表面安装8-DFN（3x3）。
