9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的2N4391-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N4391-E3参考价格为17.678美元。Vishay Siliconix 2N4391-E3封装/规格：MOSFET N-CH 40V.1NA TO-18。您可以下载2N4391-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N4391是MOSFET N-CH 40V。1NA TO-18，包括2N4391系列，它们设计用于散装包装，零件别名显示在数据表注释中，用于BK，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-206AA、TO-18-3金属罐，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-206AA（TO-18）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备为N沟道FET型，该设备的最大功率为1.8W，电压击穿V BRGSS为40V，电流漏极Idss Vds Vgs=0为50mA@20V，电压截止Vgs关闭Id为4V@1nA，输入电容Ciss Vds为14pF@20V，电阻RDS开启为30欧姆，Pd功耗为1.8W，Id连续漏极电流为0.1nA，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为30欧姆，晶体管极性为N沟道，Vgs栅极-源极耐压为40V。
2N4391-2带用户指南，包括4V@1nA电压切断VGS关闭Id，它们设计用于40V电压击穿V BRGSS，VGS栅极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-40 V，提供晶体管极性特性，如N通道，供应商设备包设计用于to-206AA（to-18），以及30欧姆电阻RDS开启，该器件还可以用作1.8W最大功率。此外，封装为散装，该器件提供TO-206AA、TO-18-3金属罐封装盒，该器件具有安装类型的SMD/SMT，安装类型为通孔，输入电容Ciss Vds为14pF@20V，FET类型为N沟道，电流漏极Idss Vds Vgs=0为50mA@20V，配置为单。
2N4384，电路图由NJS制造。2N4384采用TO-18封装，是IC芯片的一部分。
