品牌介绍
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。
英文全称: Vishay Siliconix
中文全称: 黑森尔
英文简称: Vishay Siliconix
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 50 V 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-206AA (TO-18) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥174.82912 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥174.82912 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 30欧姆 供应商设备包装: TO-206AA (TO-18) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥179.08650 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥179.08650 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 30欧姆 供应商设备包装: TO-206AA (TO-18) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥128.03999 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥128.03999 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 60 Ohms 供应商设备包装: TO-206AA (TO-18) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥69.32324 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.32324 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: TO-206AA (TO-18) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥115.08244 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥115.08244 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: TO-206AA (TO-18) 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥83.69750 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥83.69750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-206AF (TO-72) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥133.37800 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥133.37800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 35伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-206AF (TO-72) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥344.14929 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥344.14929 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 35伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-206AF (TO-72) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥97.95588 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥97.95588 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | JFET N-CH 40V 80MA TO-18 | ¥29.54814 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.54814 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | JFET N-CH 30V TO-206 | ¥86.67781 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥86.67781 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | JFET P-CH 30V TO-206AA | ¥137.73099 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥137.73099 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | JFET P-CH 30V TO-18 | ¥172.91469 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥172.91469 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | JFET P-CH 30V TO-18 | ¥295.61172 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥295.61172 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | JFET P-CH 30V TO-18 | ¥325.63354 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥325.63354 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | JFET P-CH 30V TO-18 | ¥205.14337 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥205.14337 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 25伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-206AC (TO-52) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥185.27018 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥185.27018 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 85 Ohms 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥156.75861 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥156.75861 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 25伏 最大功率: 350毫瓦 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥372.77713 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥372.77713 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 350毫瓦 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥25.46604 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.46604 | 添加到BOM 立即询价 |