2N5114

Name: 2N5114
Brand: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
SKU: 7174602-2N5114
Price: 137.730986 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:JFET P-CH 30V TO-206AA
品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
交期:5-7 工作日

渠道:

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规格参数

最大正向电流 (Id) -
漏源电压标 (Vdss) -
电阻-RDS(On) -
安装类别通孔
包装/外壳 TO-206AA、TO-18-3金属罐
漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) -
关闭电压 (VGS off) @ Id -
最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
击穿电压（V（BR）GSS） -
场效应管类型 -
最大功率 -
工作温度 -
部件状态过时的
制造厂商黑森尔 (Vishay Siliconix)
供应商设备包装 TO-206AA (TO-18)

2N5114 产品详情

描述
这种有引线的器件可用于高可靠性应用的高可靠性等效器件。Microsemi还提供许多其他产品，以满足更高和更低的电源电压调节应用。

2N5114 相关器件

型号	制造商	描述	价格
2N5306 PBFREE	中央半导体 (Central)	TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO-92	¥1.98376
2N5038	NTE电子 (NTE)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20A 集电极击穿电压: 90 V 最大功率: 140瓦特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-3	¥31.57904
2N5427	微芯 (Microchip)	晶体管类别: 即插即用最大集电极电流 (Ic): 7 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 40瓦供应商设备包装: TO-66	¥217.61293
2N50000G33YC	晶科鑫 (SJK)	频率：50MHz 频率稳定度：±30ppm 工作电压：3.3V 输出模式：CMOS	¥4.43499
2N5551S-RTK/P	KEC公司 (KEC)	集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V	¥0.08257
2N5551-TA C档	江苏长电/长晶 (CJ)	晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V 铜脚 C档200-300	¥0.21439
2N5551G-B-AB3-R		晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：150@10mA,5V B档150-240	¥0.36577
2N5401U 5401	创基 (CBI)	暂无	¥0.20403
2N5551U 5551	创基 (CBI)	集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V 5551(5551表示丝印)	¥0.21078
2N5466	深圳质超 (SPTECH)	暂无	¥5.6751

2N5114所属分类：结栅场效应晶体管 (JFET)，2N5114 由黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N5114价格参考￥137.730986，你可以下载 2N5114中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N5114规格参数、现货库存、封装信息等信息！