2N5551G-B-AB3-R
- 描述:晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：150@10mA,5V B档150-240
- 品牌:
- 交期:2-3 工作日
渠道:
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| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.36576 | 0.36576 |
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规格参数
- 晶体管类型 NPN
- 集射极击穿电压(Vceo) 160V
- 集电极电流(Ic) 600mA
- 功率(Pd) 500mW
- 集电极截止电流(Icbo) 50nA
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 200mV@50mA,5mA
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 150@10mA,5V
- 特征频率(fT) 100MHz
- 工作温度 +150℃@(Tj)
2N5551G-B-AB3-R 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| 2N5427 | 微芯 (Microchip) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 7 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 40瓦 供应商设备包装: TO-66 | ¥217.61293 |
 | 2N50000G33YC | 晶科鑫 (SJK) | 频率：50MHz 频率稳定度：±30ppm 工作电压：3.3V 输出模式：CMOS | ¥4.43499 |
| 2N5551S-RTK/P | KEC公司 (KEC) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V | ¥0.08257 |
| 2N5551-TA C档 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V 铜脚 C档200-300 | ¥0.21439 |
| 2N5551G-B-AB3-R | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：150@10mA,5V B档150-240 | ¥0.36577 | |
| 2N5401U 5401 | 创基 (CBI) | 暂无 | ¥0.20403 |
| 2N5551U 5551 | 创基 (CBI) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V 5551(5551表示丝印) | ¥0.21078 |
| 2N5466 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.6751 |
2N5551G-B-AB3-R所属分类：分立双极结型晶体管，2N5551G-B-AB3-R 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N5551G-B-AB3-R价格参考￥0.365766，你可以下载 2N5551G-B-AB3-R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N5551G-B-AB3-R规格参数、现货库存、封装信息等信息！