2N5551U 5551
- 描述:集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V 5551(5551表示丝印)
- 品牌: 创基 (CBI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.21077 | 0.21077 |
| 10+ | 0.17057 | 1.70578 |
| 50+ | 0.12863 | 6.43170 |
| 100+ | 0.11523 | 11.52350 |
| 500+ | 0.10362 | 51.81200 |
| 1000+ | 0.09737 | 97.37400 |
- 库存: 5040
- 单价: ¥0.21078
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.21
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规格参数
- 晶体管类型 -
- 集射极击穿电压(Vceo) 160V
- 集电极电流(Ic) 600mA
- 功率(Pd) 500mW
- 集电极截止电流(Icbo) 50nA
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) 200mV@50mA,5mA
- 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) 80@10mA,5V
- 特征频率(fT) 100MHz
- 工作温度 +150℃@(Tj)
2N5551U 5551 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | 2N5038 | NTE电子 (NTE) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20A 集电极击穿电压: 90 V 最大功率: 140瓦 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-3 | ¥31.57904 |
| 2N5427 | 微芯 (Microchip) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 7 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 40瓦 供应商设备包装: TO-66 | ¥217.61293 |
 | 2N50000G33YC | 晶科鑫 (SJK) | 频率：50MHz 频率稳定度：±30ppm 工作电压：3.3V 输出模式：CMOS | ¥4.43499 |
| 2N5551S-RTK/P | KEC公司 (KEC) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V | ¥0.08257 |
| 2N5551-TA C档 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V 铜脚 C档200-300 | ¥0.21439 |
| 2N5551G-B-AB3-R | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：150@10mA,5V B档150-240 | ¥0.36577 | |
| 2N5401U 5401 | 创基 (CBI) | 暂无 | ¥0.20403 |
| 2N5551U 5551 | 创基 (CBI) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V 5551(5551表示丝印) | ¥0.21078 |
| 2N5466 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.6751 |
创基 (CBI)
香港创基电子科技有限公司（原公司名称为”香港创基 国际企业有限公司” 成立于2014 年 8月） ,位于香港荃湾 海盛路 3 号TML广场，主要业务销售「CBI」品牌全系列产 品及代加工二、三极管分流器...