2N5401U 5401
- 描述:暂无
- 品牌: 创基 (CBI)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.20402 | 0.20402 |
| 10+ | 0.16382 | 1.63827 |
| 50+ | 0.12953 | 6.47660 |
| 100+ | 0.11613 | 11.61330 |
| 500+ | 0.10451 | 52.25750 |
| 1000+ | 0.09826 | 98.26400 |
- 库存: 9060
- 单价: ¥0.20403
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.20
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2N5401U 5401 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2N5306 PBFREE | 中央半导体 (Central) | TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO-92 | ¥1.98376 |
 | 2N5038 | NTE电子 (NTE) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20A 集电极击穿电压: 90 V 最大功率: 140瓦 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-3 | ¥31.57904 |
| 2N5427 | 微芯 (Microchip) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 7 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 40瓦 供应商设备包装: TO-66 | ¥217.61293 |
 | 2N50000G33YC | 晶科鑫 (SJK) | 频率：50MHz 频率稳定度：±30ppm 工作电压：3.3V 输出模式：CMOS | ¥4.43499 |
| 2N5551S-RTK/P | KEC公司 (KEC) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V | ¥0.08257 |
| 2N5551-TA C档 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V 铜脚 C档200-300 | ¥0.21439 |
| 2N5551G-B-AB3-R | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：150@10mA,5V B档150-240 | ¥0.36577 | |
| 2N5401U 5401 | 创基 (CBI) | 暂无 | ¥0.20403 |
| 2N5551U 5551 | 创基 (CBI) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V 5551(5551表示丝印) | ¥0.21078 |
| 2N5466 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.6751 |
创基 (CBI)
香港创基电子科技有限公司（原公司名称为”香港创基 国际企业有限公司” 成立于2014 年 8月） ,位于香港荃湾 海盛路 3 号TML广场，主要业务销售「CBI」品牌全系列产 品及代加工二、三极管分流器...