9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的2N4858JTXV02，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N4858JTXV02参考价格$4.0796。Vishay Siliconix 2N4858JTXV02包装/规格：JFET N-CH 40V 80MA TO-18。您可以下载2N4858JTXV02英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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2N4858A是JFET N-CH 40V 0.36W TO-18，包括2N4858系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了零件别名，用于BK，提供TO-206AA、TO-18-3金属罐等封装外壳功能，安装类型设计用于通孔，以及TO-18供应商设备包，该设备也可以用作N通道FET类型。此外，功率最大值为360mW，该设备提供40V电压击穿V BRGSS，该设备具有8mA@15V电流漏Idss Vds Vgs=0，电压切断Vgs关闭Id为800mV@0.5nA，输入电容Ciss Vds为10pF@10V（Vgs），电阻RDS开启为60欧姆，Pd功耗为360 mW，晶体管极性为N沟道。
2N4857JTXL02带有用户指南，其中包括N沟道晶体管极性，它们设计为与to-206AA（to-18）供应商设备包一起工作，包装如数据表注释所示，用于管中，该管提供to-206A、to-18-3金属罐等包装箱功能，安装类型设计为在通孔中工作。
带电路图的2N4857JTXV02，包括通孔安装型，其设计为与to-206AA、to-18-3金属罐包装箱一起工作，包装如数据表注释所示，用于提供to-206A（to-18）等供应商设备包装功能的管，晶体管极性设计为在N沟道中工作。
2N4858是JFET JFET N沟道，包括TO-18-3封装盒，它们设计为通孔安装型，配置如数据表注释所示，用于单体，提供Si等技术特性，封装设计为在卷筒中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可用作80mA漏极到源极电压Vdss。此外，Rds漏极-源极电阻为60欧姆，器件提供500 pA Id的连续漏极电流，器件具有15 V的Vds漏极源极击穿电压，Pd功耗为1.8 W，Vgs栅源极击穿电流为-40 V，栅源极截止电压为-4 V。
