9icnet为您提供由onsemi设计和生产的J271，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。J271的参考价格为3.163062美元。onsemi J271包装/规格：JFET P-CH 30V 0.35W TO92。您可以下载J271英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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J270是JFET P-CH 30V 0.35W TO92，包括散装包装，它们设计用于0.016000盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-226-3、to-92-3（to-226AA）等封装外壳功能，技术设计用于硅，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-92-3供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备为P沟道FET型，该设备最大功率为350mW，电压击穿电压V BRGSS为30V，电流漏极Idss Vds Vgs=0为2mA@15V，电压截止Vgs关闭Id为500mV@1nA，Pd功耗为360mW，Id连续漏极电流为5mA，Vds漏极-源极击穿电压为-10V，晶体管极性为P沟道，正向跨导最小值为6mS，Vgs栅源击穿电压为-30 V，栅源截止电压为2 V。
J270_D26Z带用户指南，包括500mV@1nA电压切断VGS关闭Id，设计用于30V电压击穿V BRGSS，数据表说明中显示了用于to-92-3的供应商设备包，提供最大功率功能，如350mW，包装设计用于磁带和卷盘（TR），以及to-226-3、to-92-3（to-226AA）（成型引线）包装盒，该装置也可以用作通孔安装型。此外，FET类型为P沟道，该器件以2mA@15V电流漏Idss Vds Vgs=0提供。
J270_D27Z，带电路图，包括2mA@15V电流漏极Idss Vds Vgs=0，它们设计为与P沟道FET类型一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供to-226-3、to-92-3（to-226AA）（成型引线）等封装外壳功能，封装设计为在磁带和卷轴（TR）中工作，以及最大功率350mW，该设备也可以用作TO-92-3供应商设备包。此外，电压击穿V BRGSS为30V，该设备提供500mV@1nA电压切断VGS关闭Id。
