9icnet为您提供NXP USA Inc.设计和生产的BSR58215,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂和代理商等渠道购买。BSR58215参考价格31.596712美元。恩智浦美国股份有限公司BSR58215包装/规格:JFET N-CH 40V 250MW SOT23。您可以下载BSR58215英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如BSR58215价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
BSR58是JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23,包括Digi-ReelR替代包装包装,它们设计用于BSR58_NL零件别名,单位重量显示在数据表注释中,用于0.002116盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装安装类型,该装置也可用作SOT-23-3供应商装置包。此外,该配置为单一配置,该器件为N沟道FET型,该器件的最大功率为250mW,电压击穿电压V BRGSS为40V,电流漏极Idss Vds Vgs=0为8mA@15V,电压截止Vgs关断Id为800mV@0.5nA,电阻RDS开为60欧姆,Pd功耗为250 mW,RDS开漏极-源极电阻为60欧姆,晶体管极性为N沟道,Vgs栅极-源极击穿电压为-40 V。
BSR57是JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23,包括2V@0.5nA电压切断VGS关断Id,它们设计用于40V电压击穿V BRGSS,VGS栅极-源极击穿电压显示在数据表注释中,用于-40 V,提供单位重量功能,如0.002116盎司,晶体管极性设计用于N通道,以及SOT-23-3供应商设备包,该器件还可以用作40欧姆电阻RDS On。此外,最大功率为250mW,该器件提供250 mW Pd功耗,该器件具有Digi-ReelR交替封装,封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,FET类型为N沟道,电流漏极Idss-Vds-Vgs=0为20mA@15V,配置为单一。
BSR57215是JFET N-CH 40V 250MW SOT23,包括20mA@15V电流漏极Idss Vds Vgs=0,它们设计用于40V漏极到源极电压Vdss,FET类型如数据表注释所示,用于N通道,提供表面安装等安装类型功能,封装外壳设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及磁带和卷轴(TR)封装,该设备也可以用作最大功率为250mW的设备。此外,电阻RDS开为40欧姆,该设备在SOT-23(TO-236AB)供应商设备包中提供,该设备具有40V的电压击穿V BRGSS,电压切断VGS关断Id为5V@0.5nA。