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BSR56是JFET N-CH 40V 250MW SOT23，包括Digi-ReelR替代包装包装，其设计为单位重量为0.002116盎司，安装类型如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装外壳功能，安装类型设计为表面安装，该设备也可以用作单一配置。此外，FET类型为N沟道，该器件的最大功率为250mW，该器件具有40V的电压击穿V BRGSS，电流漏Idss Vds Vgs=0为50mA@15V，电压截止Vgs关闭Id为4V@0.5nA，电阻RDS开启为25欧姆，Pd功耗为250 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vds漏极-源极击穿电压为750 mV，Rds漏极源极电阻为25欧姆，晶体管极性为N沟道，栅极-源极截止电压为4 V，最大漏极-栅极电压为40 V。
BSR57是JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23，包括2V@0.5nA电压切断VGS关断Id，它们设计用于40V电压击穿V BRGSS，VGS栅极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-40 V，提供单位重量功能，如0.002116盎司，晶体管极性设计用于N通道，以及SOT-23-3供应商设备包，该器件还可以用作40欧姆电阻RDS On。此外，最大功率为250mW，该器件提供250 mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，FET类型为N沟道，电流漏极Idss-Vds-Vgs=0为20mA@15V，配置为单一。
BSR56215是JFET N-CH 40V 0.25W SOT23，包括20mA电流漏极Id Max，它们设计为在50mA@15V电流漏极Idss Vds Vgs=0的情况下工作，漏极到源极电压Vdss如数据表注释所示，用于40V，提供N沟道等FET类型功能，安装类型设计为在表面安装中工作，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装外壳，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，最大功率为250mW，该设备提供25欧姆电阻RDS On，该设备具有供应商设备包的SOT-23（TO-236AB），电压击穿V BRGSS为40V，电压切断VGS关闭Id为4V@0.5nA。
