特色
- N通道低频低噪声放大器
- 该设备设计用于来自过程51的低功率斩波器或开关应用
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
BSR58LT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 40伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 60 Ohms 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥95.78735
-
数量:
- +
- 总计: ¥95.79
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 最大正向电流 (Id) -
- 电阻-RDS(On) 60 Ohms
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 击穿电压（V（BR）GSS） 40伏
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功率 350毫瓦
- 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 8 mA @ 15 V
- 部件状态 过时的
- 关闭电压 (VGS off) @ Id 800 mV @ 1 A
BSR58LT1G 产品详情
BSR58LT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSR | 内存保护设备公司 (MPD) | 配套使用/相关货物: 9V电池卡扣 附件种类: 铆钉 包装: 散装 | ¥2.31773 |
 | BSR31,135 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 60V 1A SOT89 | ¥1.37615 |
| BSR41,115 | 恩智浦 (NXP) | TRANS NPN 80V 1000MA SOT89 | ¥1.44858 |
| BSR14,215 | 恩智浦 (NXP) | TRANSISTOR NPN SWITCHING SOT23 | ¥0.43457 |
| BSR16,215 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 60V 0.6A SOT23 | ¥0.43457 |
| BSR-44-BT | STACKRACK ASSEMBLY KIT (19" X12U | ¥0.00 | |
 | BSR92P H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：250V 连续漏极电流(Id)：140mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11Ω@10V,140mA | ¥2.57482 |
 | BSRV10TQ103J | 电阻类型：金属膜电阻 阻值：10kΩ 精度：±5% | ¥41.14449 | |
| BSR33 SOT-89-3L | 江苏长电/长晶 (CJ) | ¥0.3339 | |
| BSR43 SOT-89-3L | 江苏长电/长晶 (CJ) | ¥0.32014 |
BSR58LT1G所属分类：结栅场效应晶体管 (JFET)，BSR58LT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSR58LT1G价格参考￥95.787353，你可以下载 BSR58LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSR58LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
