9icnet为您提供由中央半导体公司(Central Semiconductor Corp)设计和生产的2N4416A,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。2N4416A参考价格12.8368美元。中央半导体公司2N4416A封装/规格:JFET N-CH 35V 0.3W TO-72。您可以下载2N4416A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N4416是JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF,包括2N4416系列,它们设计用于散装包装,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供TO-206A F、TO-72-4金属罐等封装盒功能,技术设计用于Si,以及通孔安装类型,该设备也可以用作TO-206AF(TO-72)供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该器件为N沟道FET型,该器件最大功率为300mW,电压击穿V BRGSS为30V,电流漏Idss Vds Vgs=0为5mA@15V,电压截止Vgs关闭Id为3V@1nA,输入电容Ciss Vds为4pF@15V、Pd功耗为300mW、Id连续漏电流为1 nA,Vds漏极-源极击穿电压为15V,晶体管极性为N沟道,正向跨导最小值为4000uS,Vgs栅极-源极电压为-30 V,栅极-源截止电压为-6 V。
2N4410是TRANS NPN 80V 0.25A TO-92,包括0.016000 oz单位重量,它们设计用于NPN晶体管极性,系列如数据表注释所示,用于2N4410,提供625 mW等Pd功率耗散功能,零件别名设计用于BK,以及散装包装,该设备也可用作TO-92包装箱。此外,安装类型为通孔,该设备提供10 mA最大直流集电极电流,该设备具有60 MHz的增益带宽乘积fT,发射极基极电压VEBO为5 V,直流集电极基极增益hfe Min在10 mA 1 V时为60,连续集电极电流为0.45 a,配置为单,集电极-发射极电压VCEO Max为80 V,集电极-发射极饱和电压为200mV,集电极-基极电压VCBO为120V。
2N4407是双极晶体管-BJT双极80V PNP 2.0A 8.75W 50pF Trans,包括散装封装,它们设计为使用BK零件别名操作,系列如数据表注释所示,用于2N4407。