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品牌介绍

自1974年以来,Central Semiconductor一直在全球制造用于电子产品的创新分立半导体。目前,设备包括标准和定制小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFET、二极管、整流器、保护设备、限流二极管、桥式整流器、晶闸管和碳化硅设备。Central的设备有行业标准的表面贴装和通孔封装、裸模、TLM(微型无铅模块™),和MDMs(多离散模块™)。Central作为一家始终按时交付最高质量产品的制造商,以及一家提供卓越增值服务的供应商,赢得了声誉。

英文全称: Central Semiconductor Corp

中文全称: 中央半导体

英文简称: Central

品牌地址: http://www.centralsemi.com/

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久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
2N4858A
2N4858A
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 60 Ohms 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥34.69349

567

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.69349

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CP226V-2N4393-CM
CP226V-2N4393-CM
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: Die 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥151.32591

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥151.32591

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2N4416A
2N4416A
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 35伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-72 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥92.97566

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥92.97566

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2N5457
2N5457
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 25伏 最大功率: 310 mW 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥196.82877

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥196.82877

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2N5460
2N5460
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 310 mW 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥88.33111

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥88.33111

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2N5116
2N5116
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 500 mW 电阻-RDS(On): 150欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥56.63021

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥56.63021

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CP206-2N4393-CT20
CP206-2N4393-CT20
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: Die 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥59.62500

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥59.62500

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CP210-2N4416-CT20
CP210-2N4416-CT20
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 供应商设备包装: Die 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥222.20337

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥222.20337

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J110
J110
JFET N-CH TO-92

¥126.19015

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥126.19015

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J112
J112
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 35伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 50 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥181.12813

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥181.12813

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J175
J175
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 125欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥106.99210

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥106.99210

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2N3820
2N3820
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 20伏 最大功率: 360毫瓦 供应商设备包装: TO-92 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥233.14634

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥233.14634

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BF246A
BF246A
SCR

¥30.25629

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.25629

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BF246B
BF246B
SCR

¥129.41237

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥129.41237

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2N4859A
2N4859A
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 25欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥107.29866

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥107.29866

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BF246C
BF246C
SCR

¥95.76562

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥95.76562

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2N2608
2N2608
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-18

¥111.64797

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥111.64797

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2N4341
2N4341
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 50 V 最大功率: 325毫瓦 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥83.46428

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥83.46428

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2N5115
2N5115
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 500 mW 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥203.27817

9000

5-7 工作日

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合计: ¥203.27817

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2N5953
2N5953
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 375 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥175.29600

9000

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合计: ¥175.29600

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