自1974年以来,Central Semiconductor一直在全球制造用于电子产品的创新分立半导体。目前,设备包括标准和定制小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFET、二极管、整流器、保护设备、限流二极管、桥式整流器、晶闸管和碳化硅设备。Central的设备有行业标准的表面贴装和通孔封装、裸模、TLM(微型无铅模块™),和MDMs(多离散模块™)。Central作为一家始终按时交付最高质量产品的制造商,以及一家提供卓越增值服务的供应商,赢得了声誉。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 60 Ohms 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ) | ¥34.69349 | 567 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.69349 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: Die 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥151.32591 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥151.32591 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 35伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-72 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ) | ¥92.97566 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥92.97566 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 25伏 最大功率: 310 mW 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥196.82877 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥196.82877 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 310 mW 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥88.33111 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥88.33111 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 500 mW 电阻-RDS(On): 150欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ) | ¥56.63021 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.63021 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: Die 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥59.62500 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.62500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 供应商设备包装: Die 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥222.20337 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥222.20337 | 添加到BOM 立即询价 | ||
JFET N-CH TO-92 | ¥126.19015 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥126.19015 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 35伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 50 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥181.12813 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥181.12813 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 125欧姆 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥106.99210 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥106.99210 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 20伏 最大功率: 360毫瓦 供应商设备包装: TO-92 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥233.14634 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥233.14634 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SCR | ¥30.25629 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.25629 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SCR | ¥129.41237 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥129.41237 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 25欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ) | ¥107.29866 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥107.29866 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SCR | ¥95.76562 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥95.76562 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-18 | ¥111.64797 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥111.64797 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 50 V 最大功率: 325毫瓦 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ) | ¥83.46428 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥83.46428 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 500 mW 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ) | ¥203.27817 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥203.27817 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 375 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥175.29600 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥175.29600 | 添加到BOM 立即询价 |