9icnet为您提供由中央半导体公司（Central Semiconductor Corp）设计和生产的2N3820，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N3820参考价格$32.18964。中央半导体公司2N3820封装/规格：JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92。您可以下载2N3820英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N3811L是TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78，包括散装包装，设计用于TO-78-6金属罐包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备包装功能，如TO-78-8，功率最大设计为350mW，以及2 PNP（双）晶体管类型，该器件还可以用作50mA电流收集器Ic Max。此外，电压收集器发射器击穿最大值为60V，该器件提供300@1mA，5V DC电流增益hFE最小Ic Vce，该器件具有250mV@100μa，1mA Vce饱和最大值Ib Ic，电流收集器截止最大值为10μa（ICBO）。
带用户指南的2N3811U，包括60V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在250mV@100μa、1mA Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 PNP（双），提供供应商设备包功能，如to-78-6，功率最大值设计用于350mW，以及散装封装，该装置也可用作TO-78-6金属罐包装盒。此外，安装类型为通孔，该器件提供300@1mA、5V DC电流增益hFE最小Ic Vce，该器件具有50mA的电流收集器Ic最大值，电流收集器截止值最大值为10μa（ICBO）。
2N3819是RF JFET晶体管N-CH-25V 10mA BULK，包括单一配置，它们设计为以20 mA Id连续漏电流工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-92等封装外壳功能，封装设计为散装工作，以及360 mW Pd功耗，该装置也可以用作2N3819系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有晶体管类型的JFET，单位重量为0.016000盎司，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Vgs栅极-源极耐压为25 V。
