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2N4339-2是MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA，包括散装封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于TO-206A a、TO-18-3金属罐，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备封装设计用于TO-206AB（TO-18），以及单一配置，该器件也可以用作N沟道FET型。此外，最大功率为300mW，该器件提供50V电压击穿V BRGSS，该器件具有500μa@15V电流漏极Idss Vds Vgs=0，电压截止Vgs关断Id为600mV@100nA，输入电容Ciss Vds为7pF@15V，晶体管极性为N沟道，Vgs栅极-源极击穿电压为-50 V。
2N4339-E3是MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA，包括600mV@100nA电压切断VGS关断Id，它们设计用于50V电压击穿V BRGSS，VGS栅极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-50 V，提供晶体管极性特性，如N沟道，供应商设备包设计用于TO-206A（TO-18），除了300mW最大功率外，该设备还可以用作散装包装。此外，封装外壳为TO-206AA、TO-18-3金属罐，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有安装型通孔，输入电容Ciss Vds为7pF@15V，FET类型为N沟道，漏电流Idss Vds Vgs=0为500μa@15V。
2N4340是TRANS JFET N-CH 50V 50MA TO-18，包括单一配置，它们设计为在3.6mA漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于1300 uS的正向跨导最小值，该值提供了栅源截止电压功能，如-3V，Id连续漏极电流设计为在100pA下工作，以及通孔安装样式，该装置也可用作TO-18-3包装箱。此外，封装为散装，该器件以BK部件别名提供，该器件具有300 mW的Pd功耗，Rds漏极-源极电阻为1.5 k欧姆，系列为2N4340，技术为Si，晶体管极性为N沟道，Vds漏极源极击穿电压为15 V，Vgs栅极-源极击穿电压为-50 V。
