9icnet为您提供由中央半导体公司（Central Semiconductor Corp）设计和生产的J110，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。J110参考价格为17.4226美元。中央半导体公司J110封装/规格：JFET N-CH TO-92。您可以下载J110英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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J113_D74Z，带引脚细节，包括切割胶带（CT）包装，设计用于0.007090盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-226-3、to-92-3（to-226AA）（成型引线）等封装外壳功能，安装类型设计用于通孔以及to-92-3供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，FET类型为N沟道，该器件的最大功率为625mW，该器件具有35V的电压击穿电压V BRGSS，电流漏极Idss Vds Vgs=0为2mA@15V，电压截止Vgs关闭Id为500mV@1μa，电阻RDS开启为100欧姆，晶体管极性为N沟，Vgs栅极-源极击穿电压为-35V。
J113_D26Z带有用户指南，包括500mV@1μA电压切断VGS关断Id，它们设计用于35V电压击穿V BRGSS，数据表说明中显示了用于to-92-3的供应商设备包，该设备提供电阻RDS开启功能，例如100欧姆，最大功率设计用于625mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作to-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成型引线）封装盒。此外，安装类型为通孔，该器件为N沟道FET类型，该器件具有2mA@15V的漏电流Idss Vds Vgs=0。
J113_D27Z，带电路图，包括2mA@15V电流漏极Idss Vds Vgs=0，它们设计为与N沟道FET类型一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供to-226-3、to-92-3（to-226AA）（成型引线）等封装外壳功能，该设备也可以用作100欧姆电阻RDS On。此外，供应商设备包是TO-92-3，该设备提供35V电压击穿V BRGSS，该设备具有500mV@1μa电压切断VGS关闭Id。
J113_D75Z，带EDA/CAD型号，包括TO-92-3供应商设备包，它们设计用于TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）（成型引线）封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供磁带盒（TB）等封装功能，FET类型设计用于N通道，以及625mW最大功率，该设备还可以用作500mV@1μA电压切断VGS关闭Id.此外，电压击穿V BRGSS为35V，该设备提供2mA@15V电流漏Idss Vds VGS=0，该设备具有100欧姆电阻RDS开启。
