特征
表面安装等同于JEDEC注册的2N5116。
。可参考MIL-PRF-19500进行筛选。
.提供符合RoHS的版本（仅限商业级）。
JFET通孔TO-206AA（TO-18）
跨JFET P-CH 3引脚TO-206AA
JFET P沟道JFET
2N5115
- 描述:场效应管类型: P-通道 击穿电压（V（BR）GSS）: 30伏 最大功率: 500 mW 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ）
- 品牌: 中央半导体 (Central)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥203.27817
-
数量:
- +
- 总计: ¥203.28
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规格参数
- 击穿电压（V（BR）GSS） 30伏
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 最大正向电流 (Id) -
- 制造厂商 中央半导体 (Central)
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 TO-206AA、TO-18-3金属罐
- 供应商设备包装 TO-18
- 电阻-RDS(On) 100欧姆
- 场效应管类型 P-通道
- 工作温度 -65摄氏度~200摄氏度（TJ）
- 部件状态 过时的
- 最大功率 500 mW
- 关闭电压 (VGS off) @ Id 3 V @ 1 nA
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 25皮法 @ 15V
- 漏极截止电流 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 15 mA @ 15 V
2N5115 产品详情
JFET通孔TO-206AA（TO-18）
跨JFET P-CH 3引脚TO-206AA
JFET P沟道JFET
2N5115 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2N5306 PBFREE | 中央半导体 (Central) | TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO-92 | ¥1.98376 |
 | 2N5038 | NTE电子 (NTE) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20A 集电极击穿电压: 90 V 最大功率: 140瓦 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-3 | ¥31.57904 |
 | 2N5427 | 微芯 (Microchip) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 7 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 40瓦 供应商设备包装: TO-66 | ¥217.61293 |
 | 2N50000G33YC | 晶科鑫 (SJK) | 频率：50MHz 频率稳定度：±30ppm 工作电压：3.3V 输出模式：CMOS | ¥4.43499 |
| 2N5551S-RTK/P | KEC公司 (KEC) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V | ¥0.08257 |
| 2N5551-TA C档 | 江苏长电/长晶 (CJ) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@10mA,5V 铜脚 C档200-300 | ¥0.21439 |
| 2N5551G-B-AB3-R | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：150@10mA,5V B档150-240 | ¥0.36577 | |
| 2N5401U 5401 | 创基 (CBI) | 暂无 | ¥0.20403 |
| 2N5551U 5551 | 创基 (CBI) | 集射极击穿电压(Vceo)：160V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V 5551(5551表示丝印) | ¥0.21078 |
| 2N5466 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.6751 |
2N5115所属分类：结栅场效应晶体管 (JFET)，2N5115 由 中央半导体 (Central) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N5115价格参考￥203.278167，你可以下载 2N5115中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N5115规格参数、现货库存、封装信息等信息！
中央半导体 (Central)
自1974年以来，Central Semiconductor一直在全球制造用于电子产品的创新分立半导体。目前，设备包括标准和定制小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFET、二极管、整流器、保护设备、限流...
