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STGW50H65DFB2-4
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STGW50H65DFB2-4

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 86 A 最大功率: 272 W 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 41.86396 41.86396
10+ 37.58340 375.83408
100+ 30.79536 3079.53620
500+ 26.21567 13107.83850
1000+ 26.07262 26072.62900
  • 库存: 10
  • 单价: ¥38.02523
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥41.86
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大整流电流 (Icm) 150 A
  • 反向恢复时长 (trr) 92纳秒
  • 最大功率 272 W
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 50A
  • 包装/外壳 至247-4
  • 供应商设备包装 TO-247-4
  • 最大集电极电流 (Ic) 86 A
  • 试验条件 400V, 50A, 12欧姆, 15V
  • 门电荷 151 nC
  • 开关能量 629J (on), 478J (off)
  • 开通/关断延时 (25°C) 18ns/128ns

STGW50H65DFB2-4 产品详情

STGW50H65DFB2-4所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGW50H65DFB2-4 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGW50H65DFB2-4价格参考¥38.025225,你可以下载 STGW50H65DFB2-4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGW50H65DFB2-4规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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